Infineon Technologies IRFB7530PBF
TO-220AB old batch ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRFB7530PBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | old batch |
| RoHS | Yes |
| ECCN | - |
| Package | TO-220AB |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 50 |
| Weight | 2.9 |
Low On-Resistance: This MOSFET boasts a low R_DS(on) of 3.5 mΩ, enhancing power efficiency and reducing heat generation.
High Voltage Rating: With a maximum V_DS of 75V, it can effectively handle high voltage applications.
Fast Switching Speed: The IRFB7530PBF supports rapid switching, promoting efficient operation in fast switching circuits.
Robust Package: Packaged in a DPAK configuration, it provides excellent thermal performance and ease of mounting.
Low Gate Charge: A low total gate charge minimizes drive losses and improves overall circuit efficiency.
Power Supply Units: It is utilized in switch-mode power supplies for efficient energy conversion.
Automotive Applications: This MOSFET is suitable for electric vehicle powertrains and energy management systems.
Motor Control: Employed in brushless DC motor applications for optimal control and efficiency.
Solar Inverters: It aids in the conversion of solar energy to usable power with high efficiency.
High-Frequency Converters: Recommended for use in devices that require rapid switching capabilities.
Thermal Management: Adequate heat dissipation must be ensured to maintain optimal performance, especially in high-load conditions.
Gate Drive Voltage: Ensuring appropriate gate drive voltages is crucial for maximizing switching speed and efficiency.
Voltage Overshoot: Proper snubber circuits may be needed to prevent voltage overshoot during switching events.
Parasitic Inductance: Minimizing parasitic inductance in PCB design will enhance the reliability of the switching performance.
Load Conditions: Continuous current ratings should not be exceeded in real-world applications to avoid thermal runaway.
Q: What happens if the IRFB7530PBF is operated at a higher voltage than rated?
A: Exceeding the rated voltage can lead to device failure due to breakdown and permanent damage.
Q: Can this MOSFET be used for high-frequency applications?
A: Yes, it is designed for high-speed switching, making it suitable for such applications.
Q: What is the effect of heat on the MOSFET performance?
A: Increased temperatures can raise on-resistance and reduce switching efficiencies, so thermal management is critical.
Q: Is it necessary to use a specific gate driver for this component?
A: While not strictly necessary, a dedicated gate driver can optimize performance and switching speeds.
| Expédition | Délai de livraison | Pour les pièces en stock, les commandes sont estimées être expédiées sous 2 jours. Chipmall.com expédie les commandes une fois par jour vers 17h00 sauf le dimanche. Délai de livraison/jour ： Asie du Sud-Est 2-3 jours États-Unis/Canada 2 à 4 jours Australie 2 à 4 jours Europe 3 à 6 jours Amérique du Sud 4 à 7 jours Moyen-Orient 5 à 8 jours Afrique 5 à 8 jours |
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| Option d'expédition | Nous fournissons UPS, DHL, FedEx, SF Express. | |
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| returning/warranty | De retour | Les retours sont normalement acceptés lorsqu'ils sont effectués dans les 30 jours à compter de la date d'expédition. Veuillez contacter le service client pour obtenir une autorisation de retour. Les pièces doivent être inutilisées et dans leur emballage d'origine. Le client doit prendre en charge l'expédition. |
| garantie | Tous les achats Chipmall.com sont accompagnés d'une politique de retour satisfait ou remboursé de 30 jours, ainsi que d'une garantie Chipmall.com de 365 jours contre tout défaut de fabrication. Cette garantie ne s'applique pas à tout article dont les défauts ont été causés par un client inapproprié. assemblage, non-respect par le client des instructions, modification du produit, fonctionnement négligent ou inapproprié | |
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