Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65TF099T
650V 38A 89m@10V,19A 322W 3.5V@250uA 1 N-Channel TO-247 MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | NCE65TF099T |
| Fabricante | NCE |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Type | 1 N-channel |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 55nC@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 38A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 89mΩ@10V,19A |
| Power Dissipation (Pd) | 322W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.5pF |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.2nF@50V |
| Drain to Source Voltage | 650V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Gate Charge(Qg) | 55nC@10V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A |
| RDS(on) | 89mΩ@10V,19A |
| Pd - Power Dissipation | 322W |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.2nF@50V |
| Package | TO-247 |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 30 |
| Weight | 7.9 |
Low on-resistance: This MOSFET features a low R_DS(on), enabling reduced conduction losses and improved power efficiency.
Fast switching speed: It offers fast switching characteristics, which enhance the overall performance in high-frequency applications.
High voltage rating: The device supports a maximum voltage of 650V, making it suitable for various high-voltage applications.
High current capability: It can handle continuous currents of up to 100A, accommodating robust power demands.
Thermal stability: Designed with excellent thermal performance, it ensures minimal heat generation during operation, extending the lifespan of the device.
Power supplies: Ideal for switch-mode power supply (SMPS) designs that require high efficiency.
Motor drives: Suitable for driving brushless motors in consumer electronics and industrial applications.
LED lighting: Used in LED drivers for efficient light control and enhanced performance.
DC-DC converters: Effective in step-down (buck) or step-up (boost) converters for renewable energy solutions.
UPS systems: Integral for uninterruptible power supply systems to ensure stable output power.
Thermal management: Ensure adequate heat sinking to prevent thermal runaway, considering the maximum junction temperature of 150°C.
Gate drive voltage: Utilize appropriate gate drive voltages (10-20V) for optimal switching performance and efficiency.
Layout design: Pay attention to PCB layout to minimize parasitic inductance and capacitance, which can affect switching speeds.
Current derating: Consider derating the current rating in high-temperature environments to maintain reliability.
Q: How can I ensure the NCE65TF099T operates efficiently?
A: Proper thermal management and optimized gate drive voltages are essential for maintaining efficient operation.
Q: What is the maximum temperature for this MOSFET?
A: The maximum junction temperature for the NCE65TF099T is 150°C.
Q: Can this MOSFET be used in automotive applications?
A: Yes, it is suitable for automotive applications, provided it is used within specified ratings and with proper thermal management.
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