Infineon Technologies IRFP150NPBF
100V 42A 160W 0.036@10V,23A 4V@250uA 1 N-Channel TO-247AC-3 MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRFP150NPBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 230pF |
| Type | N-channel |
| Gate Charge(Qg) | 110nC@10V |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V@250uA |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A |
| Output Capacitance(Coss) | 450pF |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.9nF |
| Pd - Power Dissipation | 160W |
| RDS(on) | 36mΩ@10V |
| Package | TO-247AC-3 |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 25 |
| Weight | 8.2 |
Low On-Resistance : The IRFP150NPBF features low on-resistance of 0.05 ohms at 10V, resulting in reduced power loss.
High Speed Switching : The device supports fast switching speeds, making it suitable for high-frequency applications.
High Current Capacity : With a maximum continuous drain current of 50A, it can handle substantial power loads efficiently.
Avalanche Rated : The device is avalanche rated, providing additional reliability and performance in transient conditions.
TO-220 Package : The IRFP150NPBF comes in a TO-220 package for easy mounting and thermal management.
Power supplies : Used in switch-mode power supplies for efficient energy conversion.
Motor control : Suitable for driving and controlling electric motors in various devices.
DC-DC converters : Effective in applications requiring voltage regulation with high efficiency.
Inverters : Utilized in inverter circuits for renewable energy systems like solar.
Audio amplifiers : Employed in high-power audio amplification to improve sound performance.
USB power delivery : Integrated in fast-charging applications to enhance power delivery capabilities.
Gate Drive Voltage : Ensure proper gate drive voltage; optimal performance occurs at 10V to minimize on-resistance.
Thermal Management : Adequate heat sinking is essential to handle power dissipation effectively in high current applications.
PCB Layout : Pay attention to layout design to minimize inductance and resistance in traces connected to the MOSFET.
Switching Frequency : Operating frequency should be within specified limits to avoid excessive heating and switching losses.
Component Pairing : Select compatible components for the best performance concerning thermal and electrical characteristics.
Q: What is the maximum drain-source voltage for the IRFP150NPBF?
A: The maximum drain-source voltage is 55V.
Q: Can the IRFP150NPBF be used at high frequencies?
A: Yes, it is designed for high-speed applications but always consider the thermal implications.
Q: How should I manage heat dissipation for the IRFP150NPBF?
A: Use proper heat sinks and ensure good thermal contact to manage heat effectively.
Q: What is the typical gate threshold voltage range?
A: The typical gate threshold voltage ranges from 2 to 4V.
| Expédition | Délai de livraison | Pour les pièces en stock, les commandes sont estimées être expédiées sous 2 jours. Chipmall.com expédie les commandes une fois par jour vers 17h00 sauf le dimanche. Délai de livraison/jour ： Asie du Sud-Est 2-3 jours États-Unis/Canada 2 à 4 jours Australie 2 à 4 jours Europe 3 à 6 jours Amérique du Sud 4 à 7 jours Moyen-Orient 5 à 8 jours Afrique 5 à 8 jours |
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