Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF
200V 18A 150W 0.15@10V,11A 2V@250uA 1 N-Channel D2PAK MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRF640NSTRLPBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 53pF |
| Type | N-channel |
| Drain to Source Voltage | 200V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V@250uA |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A |
| Pd - Power Dissipation | 150W |
| RDS(on) | 150mΩ@10V |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.16nF |
| Gate Charge(Qg) | 67nC@10V |
| Package | D2PAK |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 800 |
| Weight | 2.343 |
Low on-resistance : The IRF640NSTRLPBF features a low R_DS(on) of 0.18 ohms, which reduces power losses.
High voltage rating : With a drain-source voltage (V_DS) of 200V, it is well-suited for high-voltage applications.
Fast switching speed : This device provides rapid switching capabilities, facilitating efficient operation in high-frequency applications.
Enhanced thermal performance : The package design supports effective heat dissipation, extending component reliability.
Easy to drive : It requires minimal gate drive voltage, simplifying design integration.
Switching power supplies : The IRF640NSTRLPBF is extensively used in DC-DC converter circuits.
Motor control : It is implemented in applications controlling motor speed and torque.
Audio amplifiers : Utilized in high-performance audio amplification circuits for efficient signal processing.
LED lighting : Serves in driving LEDs where efficient switching is critical.
Battery management systems : Fosters power conversion in battery charging and regulation.
Uninterruptible power supplies (UPS) : Used in systems requiring reliable energy backup solutions.
Thermal management : Ensure adequate heat sinking to maintain device performance and lifetime.
Gate drive circuitry : Design the gate drive to minimize turn-on and turn-off losses for optimal efficiency.
Voltage ratings : Always consider the maximum V_DS to prevent breakdown in high-voltage environments.
Switching frequency : Take into account the effective switching frequency to prevent excessive heating and losses.
Parasitic effects : Mitigate inductive and capacitive parasitic elements in layout to enhance switching performance.
Q: What happens if the IRF640NSTRLPBF is exposed to voltages above 200V?
A: Exceeding the maximum voltage can lead to device breakdown and failure.
Q: Can I use the IRF640NSTRLPBF in a high-frequency application?
A: Yes, but ensure to provide proper gate drive and consider the device's switching characteristics.
Q: Is heat sinking necessary for the IRF640NSTRLPBF?
A: Yes, adequate heat sinking is crucial for maintaining performance and preventing thermal damage.
Q: What is the maximum gate voltage for the IRF640NSTRLPBF?
A: The maximum gate voltage (V_GS) is ±20V to avoid damaging the gate oxide.
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