Infineon Technologies BSC070N10NS3G
100V 90A 7m@10V,50A 114W 3.5V@75uA 1 N-Channel TDSON-8-EP5x6 MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | BSC070N10NS3G |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Number | 1 N-Channel |
| Current - Continuous Drain(Id) | 90A |
| RDS(on) | 7mΩ@10V,50A |
| Pd - Power Dissipation | 114W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V |
| Package | TDSON-8(5x6) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 5000 |
| Weight | 0.144 |
Low on-state resistance: This feature minimizes power losses during operation, enhancing overall efficiency.
High-speed switching: Designed for rapid on/off switching, it improves system responsiveness.
Robust thermal performance: Offers excellent heat dissipation to maintain stable performance in challenging environments.
High current handling: Capable of managing significant current without compromising performance.
Versatile voltage rating: Suitable for a range of voltages, providing flexibility in design applications.
Power conversion: Used in DC-DC converters for efficient voltage regulation.
Motor control: Ideal for driving electric motors in various applications with precise control.
LED drivers: Enables efficient lighting solutions by controlling power to LEDs.
Solar inverters: Facilitates energy conversion in renewable energy systems.
Switching regulators: Enhances efficiency in power management circuits.
Battery management: Supports energy storage systems by managing charge and discharge cycles.
Thermal management: Ensure adequate heat sinking or cooling mechanisms to prevent overheating during operation.
Gate drive voltage: Proper gate voltage levels should be maintained to achieve optimal switching performance.
Switching frequency: Consider application-specific switching frequencies to minimize losses and maximize efficiency.
Parasitic inductance: Layout design should minimize inductance to reduce switching loss and improve performance.
Current rating: Ensure the device's current rating aligns with application requirements for reliable operation.
Q: What causes overheating in the MOSFET?
A: Overheating may result from inadequate heat dissipation, excessive current, or improper gate voltage.
Q: How can I ensure the MOSFET operates efficiently in my circuit?
A: Proper thermal management and careful consideration of gate drive voltage are essential for efficiency.
Q: What should I do if I experience switching losses?
A: Check your layout for parasitic elements and ensure the switching frequency is appropriate for your application.
Q: Can I use this MOSFET in high-frequency applications?
A: Yes, but ensure gate drive specifications are met to handle the desired frequency without losses.
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