Infineon Technologies IRFP054NPBF
55V 81A 0.012@10V,43A 170W 2V@250uA 1 N-Channel TO-247AC-3 MOSFETs ROHS

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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRFP054NPBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 330pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 330pF@44V |
| Type | N-channel |
| Drain to Source Voltage | 55V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V@250uA |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Pd - Power Dissipation | 170W |
| Current - Continuous Drain(Id) | 81A |
| Gate Charge(Qg) | 130nC |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.9nF |
| Output Capacitance(Coss) | 880pF |
| RDS(on) | 12mΩ@10V |
| Package | TO-247AC |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 25 |
| Weight | 8.2 |
Low On-Resistance: Ensures minimal power loss during operation.
High Continuous Drain Current: Supports up to 60A for robust performance.
Fast Switching Speed: Enhances efficiency in dynamic applications.
Maximum Gate-Source Voltage: Rated at ±20V for improved reliability.
Thermal Resistance: Low junction-to-case thermal resistance facilitates effective heat dissipation.
Power supplies: Essential in DC-DC converters and inverters for efficient energy conversion.
Motor drives: Ideal for controlling electric motors in various applications.
Battery management systems: Used in managing power distribution and charging.
Lighting systems: Applicable in LED drivers for enhanced control and efficiency.
Automotive electronics: Supports high-performance applications in electric vehicles and hybrids.
Renewable energy systems: Utilized in solar inverters and wind turbine drives.
Thermal Management: Proper heatsinking is crucial, ensuring the junction temperature remains below 150°C for reliable operation.
Gate Drive Voltage: A consistent gate voltage is necessary to maintain low On-Resistance and optimize performance.
Switching Frequency: The MOSFET operates best within specified frequency ranges to minimize switching losses.
Parasitic Inductance: Design PCB layouts with minimal inductance to avoid voltage spikes during fast switching.
Load Characteristics: Ensure load compatibility to avoid exceeding the maximum ratings.
Q: What happens if the gate voltage exceeds the maximum rating?
A: Exceeding the maximum gate voltage can damage the MOSFET and lead to failure.
Q: How can I prevent overheating in applications?
A: Incorporate adequate heatsinking and ensure the junction temperature remains below specified limits.
Q: What is the effect of switching frequency on performance?
A: Higher frequencies can reduce efficiency due to increased switching losses; optimal frequencies should be maintained.
Q: Can this MOSFET be used in parallel configurations?
A: Yes, but ensure proper balancing techniques to prevent thermal runaway and unequal sharing of load.
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