Infineon Technologies IRFB4410ZGPBF
100V 97A 7.2m@10V,58A 230W 2V 1 N-Channel TO-220AB Single FETs, MOSFETs ROHS
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|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRFB4410ZGPBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 170pF |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 97A |
| Pd - Power Dissipation | 230W |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.82nF |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
| RDS(on) | 7.2mΩ@10V,58A |
| Package | TO-220AB |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 1000 |
| Weight | 2.718 |
Low On-Resistance : The IRFB4410ZGPBF has an on-resistance of just 3.5 mΩ, enhancing efficiency and reducing heat generation.
High Voltage Rating : Rated for a maximum voltage of 100V, it is suitable for high-power applications.
Fast Switching Speed : Optimized for rapid switching, improving performance in fast-paced applications.
High Gate Charge : The device exhibits excellent gate charge properties, ensuring efficient driving circuitry.
Robust Thermal Performance : Designed to withstand high temperatures, making it reliable under varying thermal conditions.
Power Supplies : Used in switch-mode power supplies for efficient voltage regulation.
Motor Control : Ideal for driving motors in various applications, enhancing performance and efficiency.
DC-DC Converters : Applied in both buck and boost converters for optimal power conversion.
Automotive Systems : Utilized in vehicle power management and control systems.
Renewable Energy : Serves in solar inverters and wind energy converters for effective energy harvesting.
LED Drivers : Employed in LED lighting solutions for effective brightness control and energy efficiency.
Thermal Management : Adequate cooling measures should be implemented to manage heat dissipation during operation.
Driving Voltage : Ensure that the gate is driven sufficiently to fully enhance the MOSFET for optimal performance.
Parasitic Inductance : Minimize inductance in PCB layout to reduce switching losses and improve efficiency.
Safe Operating Area : Always verify the operating conditions to remain within the manufacturer's specified limits.
Load Conditions : Analyze the load requirements to ensure the MOSFET meets the necessary current and voltage ratings.
Q: What happens if I exceed the maximum voltage rating?
A: Exceeding the maximum voltage can lead to device failure, including breakdown and permanent damage.
Q: Can the MOSFET be operated at high temperatures?
A: Yes, the IRFB4410ZGPBF is designed for high-temperature operation, but adequate thermal management is essential.
Q: What is the significance of on-resistance?
A: Lower on-resistance results in higher efficiency, reducing heat generation and power losses in applications.
Q: How do I ensure optimal switching performance?
A: Use appropriate gate driving techniques and minimize inductive effects in the circuit design for better performance.
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