Infineon Technologies BSC12DN20NS3 G
200V 125m@10V,5.7A 50W 1 N-Channel TDSON-8-EP5x6 Single FETs, MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | BSC12DN20NS3 G |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Drain to Source Voltage | 200V |
| Current - Continuous Drain(Id) | - |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Input Capacitance(Ciss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - |
| Pd - Power Dissipation | 50W |
| RDS(on) | 125mΩ@10V,5.7A |
| Package | TDSON-8-EP(5x6) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 5000 |
| Weight | 0.153 |
Low On-Resistance: Achieves minimal power loss, enhancing efficiency in applications.
Fast Switching Speed: Supports high-frequency operation, improving response times.
High Breakdown Voltage: Operates safely at voltages up to 20V, ensuring reliability.
Excellent Thermal Performance: Manages heat effectively, allowing for compact designs.
Compact Package: Facilitates integration into space-constrained applications.
Power Supply Units: Optimizes energy conversion in various power supplies.
Motor Control: Enhances efficiency in electric motor drives.
DC-DC Converters: Supports step-down and step-up conversion processes.
LED Lighting: Improves performance in LED driver circuits.
Battery Management Systems: Facilitates fast charging and discharging of batteries.
Automotive Electronics: Assists in power management tasks within vehicles.
Gate Drive Voltage: Ensure optimal gate voltage for effective switching and to prevent damage.
Thermal Management: Incorporate adequate heat sinking to maintain performance under load.
Short Circuit Protection: Implement safeguards to minimize risks of component failure.
Switching Frequency: Match with application requirements to optimize efficiency.
Layout Optimization: Focus on minimizing parasitic inductance in PCB designs to enhance performance.
Q: What is the maximum drain-source voltage for the BSC12DN20NS3 G?
A: The maximum drain-source voltage is 20V.
Q: How do I calculate the switching losses?
A: Calculate switching losses using the switching frequency and total gate charge data.
Q: Can this MOSFET handle high temperatures?
A: Yes, it has excellent thermal performance, but ensure proper thermal management.
Q: What is the recommended gate resistor value?
A: The gate resistor value depends on the drive circuit; typically ranges from 10 to 100 ohms.
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| Option d'expédition | Nous fournissons UPS, DHL, FedEx, SF Express. | |
| Suivi d'expédition | Nous vous informerons par e-mail avec le numéro de suivi une fois la commande expédiée. Vous pouvez également trouver le numéro de suivi dans l'historique des commandes. | |
| returning/warranty | De retour | Les retours sont normalement acceptés lorsqu'ils sont effectués dans les 30 jours à compter de la date d'expédition. Veuillez contacter le service client pour obtenir une autorisation de retour. Les pièces doivent être inutilisées et dans leur emballage d'origine. Le client doit prendre en charge l'expédition. |
| garantie | Tous les achats Chipmall.com sont accompagnés d'une politique de retour satisfait ou remboursé de 30 jours, ainsi que d'une garantie Chipmall.com de 365 jours contre tout défaut de fabrication. Cette garantie ne s'applique pas à tout article dont les défauts ont été causés par un client inapproprié. assemblage, non-respect par le client des instructions, modification du produit, fonctionnement négligent ou inapproprié | |
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