Infineon Technologies IQFH36N04NM6ATMA1
40V 656A 0.36m@10V 300W 2.8V@1050uA TSON-12 Single FETs, MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IQFH36N04NM6ATMA1 |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Type | N-channel |
| Drain to Source Voltage | 40V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Pd - Power Dissipation | 300W |
| Current - Continuous Drain(Id) | 656A |
| RDS(on) | 0.36mΩ@10V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V@1050uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 178pF |
| Input Capacitance(Ciss) | 18.6nF |
| Output Capacitance(Coss) | 6.02nF |
| Gate Charge(Qg) | 309nC@10V |
| Package | TSON-12 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 3000 |
| Weight | 0.74 |
High efficiency : Offers low on-resistance for enhanced energy savings.
Fast switching : Enables quick response times in power applications.
High current handling : Supports significant current loads, suitable for demanding applications.
Compact design : Space-efficient packaging for versatile application in tight layouts.
Thermal performance : Designed for improved heat dissipation, enhancing reliability.
Power supplies : Utilized in switch-mode power supplies for efficient energy conversion.
Motor control : Ideal for driving motors in automotive and industrial applications.
DC-DC converters : Enables compact and efficient conversion in various electronic devices.
Renewable energy systems : Integrated in inverter systems for solar or wind energy applications.
LED lighting : Used in power drivers for high-efficiency LED lighting systems.
Telecommunications : Supports power management in telecom devices and infrastructure.
Thermal management : Ensure adequate heat dissipation to prevent overheating, especially in high-current applications.
Gate drive voltage : Optimize gate voltage to achieve desired switching performance and minimize losses.
Parasitic inductance : Minimize lead inductance in PCB layout to improve switching speed and reduce noise.
Load conditions : Analyze load characteristics to ensure appropriate device selection for reliable operation.
Circuit protection : Implement protective components to guard against voltage spikes that may exceed the device’s ratings.
Q:What should I do if the MOSFET overheats?
A:Ensure proper thermal management strategies are in place, such as heat sinks or adequate PCB layout.
Q:What is the maximum gate voltage for this MOSFET?
A:The maximum gate voltage should not exceed the specified gate-source voltage limits in the datasheet.
Q:Can I use this MOSFET in parallel with another?
A:Yes, but ensure that both MOSFETs are thermally balanced and driven correctly to avoid uneven current sharing.
Q:What is the recommended gate drive circuit for optimal performance?
A:Utilize a dedicated gate driver capable of implementing the required voltage and current levels specified for the MOSFET.
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