Infineon Technologies IRF7341TRPBF
55V 4.7A 2W 0.05@10V,4.7A 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRF7341TRPBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.7A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 71pF |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 0.05Ω@10V,4.7A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 740pF@0V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 36nC@ |
| Type | N-channel |
| Drain to Source Voltage | 55V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V@250uA |
| RDS(on) | 50mΩ@10V |
| Input Capacitance(Ciss) | 740pF |
| Number | 2 N-Channel |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.7A |
| Gate Charge(Qg) | 36nC |
| Package | SO-8 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 4000 |
| Weight | 0.286 |
Continuous Drain Current : Handles up to 54A for enhanced power delivery.
Low On-Resistance : Features a maximum on-resistance of 0.022Ω, improving efficiency.
High Voltage Rating : Operates effectively at a drain-source voltage of 40V.
Fast Switching Speed : Optimized for quick switching, reducing energy losses.
Enhanced Thermal Performance : Designed with a thermal resistance of 30°C/W, ensuring better heat management.
Power Supply Switches : Ideal for use in efficient power supply circuits.
Motor Control : Suitable for controlling DC motors in various applications.
DC-DC Converters : Efficiently used in step-down (buck) or step-up (boost) converters.
LED Drivers : Effectively manages power for LED lighting systems.
Battery Management Systems : Helps optimize charge and discharge processes in battery systems.
Power Inverters : Works well in converting DC to AC in renewable energy applications.
Thermal Management : Ensure adequate heat dissipation to avoid overheating, particularly in high-current applications.
Gate Drive Voltage : Use the specified gate-source voltage (10V) to ensure proper MOSFET operation.
Switching Frequency : Be aware of switching frequencies to minimize losses and ensure system efficiency.
Layout Design : Follow best practices for PCB layout to reduce parasitic inductance and improve performance.
Q: What should I consider for driving the IRF7341TRPBF?
A: Ensure a suitable gate drive voltage of around 10V for optimal performance.
Q: How do I manage heat dissipation?
A: Use proper heatsinks and thermal management techniques to avoid thermal overload.
Q: Can I use this MOSFET in high-frequency applications?
A: Yes, but consider the switching speed and associated losses to maintain efficiency.
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