Infineon Technologies IRF7351TRPBF
60V 8A 2W 17.8m@10V,8.0A 4V@50uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRF7351TRPBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 92pF@30V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 17.8mΩ@10V,8.0A |
| Drain to Source Voltage | 60V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Number | 2 N-Channel |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A |
| Gate Charge(Qg) | 24nC |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.33nF |
| RDS(on) | 17.8mΩ@10V,8A |
| Package | SO-8 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 4000 |
| Weight | 0.275 |
Low On-Resistance : The device offers a low R_DS(on) of about 8.2 mΩ, contributing to reduced power losses.
Fast Switching Performance : Capable of switching speeds that optimize efficiency and enhance circuit performance.
High Voltage Rating : It supports a maximum drain-source voltage of 75V, making it suitable for various applications.
Enhanced Thermal Management : Designed to operate at high temperatures, ensuring reliability in demanding conditions.
Surface Mount Package : Its TO-220 package facilitates easy integration into diverse circuit designs.
Power Supply Units : Suitable for use in switch-mode and linear power supplies.
Industrial Automation : Ideal for controlling motors and actuators in automation systems.
Renewable Energy Systems : Effective in DC-DC converters for solar and wind applications.
Automotive Electronics : Utilized in electric vehicle power management and battery systems.
Consumer Electronics : In voltage regulators and inverters for efficient power conversion.
Thermal Management : Ensure adequate heat dissipation with heatsinks or thermal pads to prevent overheating during operation.
Gate Drive Voltage : Provide appropriate gate voltage to ensure optimal switching performance and minimize losses.
Switching Frequency : Consider the maximum switching frequency to avoid excessive heat generation and ensure reliability.
Parasitic Inductance : Minimize parasitic inductance in PCB layout to optimize switching behavior and improve performance.
Safe Operating Area : Ensure operation within the device's specified safe operating area to avoid damage and promote longevity.
Q: What happens if the MOSFET overheats?
A: Overheating can lead to thermal runaways, potentially damaging the device and affecting circuit performance.
Q: Can I use the IRF7351TRPBF in high-frequency applications?
A: Yes, but it is critical to ensure proper gate drive and layout to mitigate potential losses at higher frequencies.
Q: What is the maximum gate-source voltage?
A: The maximum gate-source voltage is ±20V; exceeding this can cause breakdown and failure of the MOSFET.
Q: How do I calculate power dissipation?
A: Power dissipation can be calculated using P = I² × R_DS(on), considering the load current and the on-resistance.
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