Infineon Technologies IRFB5620PBF
TO-220AB MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRFB5620PBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Configuration | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF |
| Drain to Source Voltage | 200V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| RDS(on) | 60mΩ@10V,15A |
| Pd - Power Dissipation | 144W |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.71nF |
| Package | TO-220AB |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 50 |
| Weight | 2.7 |
Low on-resistance : Offers a RDS(on) of 5.6 mΩ, enhancing efficiency and reducing heat generation.
High current capacity : Supports a maximum continuous drain current of 162A, enabling handling of substantial loads.
Fast switching speed : Facilitates rapid switching capabilities, essential for high-frequency applications.
Robust thermal performance : Designed to dissipate heat effectively, enhancing overall reliability.
Avalanche rated : Capable of withstanding voltage spikes, ensuring circuit protection during operation.
Power supplies : Utilized in switch-mode power supplies for efficient energy conversion.
Electric vehicles : Plays a key role in the powertrain management systems for optimized propulsion.
Motor drivers : Essential in controlling motors for robotics and automation applications.
Renewable energy : Employed in photovoltaic inverters for effective solar energy conversion.
LED drivers : Used in lighting systems for efficient energy management.
UPS systems : Critical for uninterruptible power supply systems to maintain power during outages.
Thermal management : Adequate heat sinking should be implemented to manage thermal performance effectively.
Gate drive requirements : A suitable gate resistor must be chosen to minimize switching losses and ensure stable operation.
Parasitic inductances : Proper layout design should be employed to minimize inductances that could affect switching performance.
Voltage ratings : Ensure that the applied voltage does not exceed the maximum drain-source voltage (VDS) of 55V.
Current derating : Consider derating based on the cooling conditions to enhance reliability under varying load conditions.
Q:What happens if I exceed the maximum VDS?
A:Exceeding the maximum VDS can lead to device breakdown and permanent damage.
Q:Is the IRFB5620PBF suitable for high-frequency applications?
A:Yes, it offers fast switching speeds making it suitable for high-frequency operations.
Q:What thermal management techniques can I use?
A:Using heat sinks and appropriate thermal interface materials will help manage temperatures effectively.
Q:Can this MOSFET handle inductive loads?
A:Yes, it is avalanche rated, which provides some level of protection against inductive kickback.
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