Infineon Technologies IRFP4568PBF
150V 171A 517W 5.9m@10V,103A 5V@250uA 1 N-Channel TO-247AC-3 MOSFETs ROHS

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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRFP4568PBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Power Dissipation (Pd) | 517W |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Continuous Drain Current (Id) | 171A |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 227nC@10V |
| Type | N-channel |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V@250uA |
| Drain to Source Voltage | 150V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 171A |
| Pd - Power Dissipation | 517W |
| RDS(on) | 5.9mΩ@10V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 203pF |
| Output Capacitance(Coss) | 977pF |
| Input Capacitance(Ciss) | 10.47nF |
| Gate Charge(Qg) | 227nC@10V |
| Package | TO-247AC-3 |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 25 |
| Weight | 7.16 |
Low on-resistance : Offers a maximum R_DS(on) of 0.045 Ohm to minimize conduction losses.
High continuous current : Rated for up to 46A, suitable for substantial load applications.
Fast switching speed : Ensures rapid on/off cycling, enhancing overall system performance.
Thermal performance : Boasts a thermal resistance of 0.5°C/W, allowing for efficient heat dissipation.
Low gate charge : With a total gate charge of only 47nC, it allows for efficient drive requirements.
Power supplies : Utilized in switch-mode power supplies (SMPS) for efficient energy conversion.
Motor drivers : Applied in various motor control circuits for enhanced efficiency.
DC-DC converters : Used in buck and boost converters for effective voltage regulation.
Inverters : Integral to solar inverters for effective energy conversion from solar panels.
Power management : Involved in power distribution modules to optimize energy usage.
Lighting control : Employed in LED drivers for precise dimming capabilities.
Gate drive voltage : Ensure that the gate drive voltage is within 10V-20V for optimal performance.
Thermal management : Adequate heat sinking is necessary to maintain operational reliability at high loads.
Switching frequency : Limit switching frequencies to avoid excessive heat generation and improve efficiency.
Load limitations : Be aware of maximum load ratings to prevent device failure under heavy stress.
PCB layout : Design layouts to minimize parasitic inductance and resistance for improved efficiency and reliability.
Q: What are the implications of exceeding the maximum drain-source voltage?
A: Exceeding the maximum drain-source voltage can lead to breakdown, permanent damage, or failure of the MOSFET.
Q: How can I minimize heat generation in this MOSFET?
A: Use adequate heat sinking, optimize switching frequency, and ensure good PCB thermal design to minimize heat generation.
Q: What is the ideal gate drive voltage for the IRFP4568PBF?
A: The optimal gate drive voltage is typically between 10V and 20V to achieve low on-resistance.
Q: Can this MOSFET be used in high-frequency applications?
A: While it is capable of handling fast switching, care must be taken with layout to manage gate charge and minimize losses in high-frequency applications.
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