Infineon Technologies IRFS4410ZTRLPBF
100V 97A 7.2m@10V,58A 230W 2V@150uA 1 N-Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS

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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRFS4410ZTRLPBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Type | N-channel |
| RDS(on) | 9mΩ@10V,58A |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Drain to Source Voltage | 100V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Input Capacitance(Ciss) | - |
| Current - Continuous Drain(Id) | 97A |
| Pd - Power Dissipation | 230W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V@150uA |
| Output Capacitance(Coss) | 340pF |
| Package | TO-263-2 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 800 |
| Weight | 2.058 |
High Efficiency: Low on-resistance of 4.5 mΩ at a gate voltage of 10V, ensuring reduced energy loss.
Fast Switching: Capable of high-speed switching, improving overall system performance in power applications.
High Current Rating: Can handle continuous drain currents of up to 110A, providing excellent current handling capabilities.
Low Gate Charge: Gate charge (Qgs) of 40 nC allows for efficient drive and reduced power consumption in gate drive circuits.
Compact Package: Available in a DPAK package, optimizing space in circuit layouts while maintaining thermal performance.
Power Supplies: Utilized in DC-DC converters for efficient power management systems.
Automotive Applications: Perfect for electric vehicle systems, including battery management and motor control.
Renewable Energy: Applied in solar inverters to enhance energy conversion efficiency.
Industrial Equipment: Used in drives and automation systems requiring reliable switching performance.
Consumer Electronics: Integrated into chargers and power adapters for efficient power delivery.
Thermal Management: Adequate heat sinking is essential to maintain operating temperatures below the maximum junction temperature to ensure reliability.
Gate Drive Voltage: Ensure proper gate drive voltage is supplied (typically 10V) to achieve optimal performance and minimize Rds(on).
Switching Frequency: Account for device switching times and delays in applications requiring high-frequency operations to prevent inefficiencies.
Parallel Operation: When paralleling multiple devices, ensure current sharing to avoid thermal runaway situations due to differing Rds(on) values.
Layout Design: Proper PCB layout with minimized loop areas is critical to reduce parasitic inductances and improve switching performance.
Q: What happens if the gate voltage is too low?
A: Insufficient gate voltage can result in higher on-resistance and inadequate switching performance, leading to increased heat generation.
Q: Can I use this MOSFET for high-frequency applications?
A: Yes, but ensure to consider switching speeds and associated losses in your design to maintain efficiency.
Q: What is the maximum operating temperature?
A: The maximum operating temperature is 175°C; ensure to manage thermal conditions to avoid damage.
Q: Is it suitable for use in automotive applications?
A: Yes, it is designed to withstand harsh automotive conditions and support high reliability in power systems.
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