Infineon Technologies BSC600N25NS3G
250V 25A 125W 60m@10V 4V@90uA 1 N-Channel TDSON-8 Single FETs, MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | BSC600N25NS3G |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3pF@100V |
| Type | N-channel |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@10V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| RDS(on) | 60mΩ@10V |
| Pd - Power Dissipation | 125W |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.35nF |
| Drain to Source Voltage | 250V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V@90uA |
| Output Capacitance(Coss) | 149pF |
| Package | TDSON-8 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 5000 |
| Weight | 0.59 |
Low On-Resistance : Provides efficient conduction with minimal energy losses.
Fast Switching Speed : Enhances performance in high-frequency applications.
High Voltage Rating : Can handle high voltages up to 600V.
Improved Thermal Performance : Designed to manage heat more effectively.
Robust Gate Oxide : Ensures reliability under challenging conditions.
Power Supplies : Ideal for switch-mode power supplies (SMPS).
Motor Drives : Used in driving electric motors efficiently.
LED Lighting : Suitable for efficient power control in LED applications.
Battery Chargers : Enhances charging efficiency in various devices.
Industrial Controls : Utilized in power management for automation systems.
Renewable Energy : Essential for power conversion in solar inverters.
Thermal Management : Proper heat sinking is crucial to maintain performance and reliability.
Gate Drive Voltage : Ensure appropriate gate voltage for optimal switching performance.
Switching Frequency : Consider the implications of high frequency on thermal performance.
Packaging : Select suitable package types based on space constraints and thermal dissipation needs.
Parasitic Inductance : Design PCB layout to minimize inductance for better performance.
Q: What should I consider for heat dissipation when using this MOSFET?
A: Ensure adequate heat sinking and airflow to manage thermal performance effectively.
Q: Can this MOSFET be used in parallel configurations?
A: Yes, but careful attention to current sharing and thermal management is required.
Q: What is the maximum gate voltage for this device?
A: The maximum gate-source voltage for the BSC600N25NS3G is typically ±20V.
Q: How does it perform at high switching frequencies?
A: It provides good performance at high frequencies but requires consideration of thermal effects.
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