Infineon Technologies BSS126IXTSA1
600V 0.017A 500mW 280m@10V,16mA 1.6V@8uA 1 N-Channel SOT-23-3-5 MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | BSS126IXTSA1 |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Configuration | - |
| Type | N-channel |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage | 600V |
| Input Capacitance(Ciss) | 21pF |
| Current - Continuous Drain(Id) | 21mA |
| RDS(on) | 280Ω@10V,16mA |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V@8uA |
| Output Capacitance(Coss) | 2.4pF |
| Gate Charge(Qg) | 1.4nC@3V |
| Package | SOT-23-3-5 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 3000 |
| Weight | 0.4 |
High drain-source voltage (VDS) : Capable of handling 60V, enabling versatility in applications.
Low on-state resistance (RDS(on)) : Offers minimal energy loss, improving overall efficiency.
Fast switching speed : Enhances performance in high-frequency applications with quick response times.
Compact footprint : Facilitates space-saving designs, making it suitable for tight layouts.
Integrated ESD protection : Provides reliability against electrostatic discharge damage.
Power management : Used in DC-DC converters and voltage regulation modules for efficient power conversion.
Motor control : Drives applications such as brushless motors, providing smooth operation and precise speed control.
LED lighting : Manages power in LED drivers and controllers, ensuring consistent brightness and performance.
Battery management systems : Optimizes charging and discharging cycles for improved battery life and efficiency.
Solid-state relays : Acts as a switch in solid-state relay applications, ensuring reliable operation.
Audio amplifiers : Enhances audio circuits by enabling efficient switching with minimal distortion.
Thermal management : Adequate heat dissipation should be ensured to maintain performance and prevent thermal failure.
Gate drive voltage : Proper gate voltage levels are critical for minimizing losses and achieving fast switching.
Layout design : PCB layout should promote low inductance paths to optimize performance and reliability.
Component ratings : Ensure all components in the design are rated appropriately to handle expected currents and voltages.
ESD precautions : Implement ESD protective measures to safeguard the MOSFET during handling and installation.
Q: What is the maximum temperature rating for the BSS126IXTSA1?
A: The maximum junction temperature is typically around 150°C, which should not be exceeded during operation.
Q: Can the BSS126IXTSA1 handle inductive loads?
A: Yes, but proper flyback diodes should be used to protect against voltage spikes.
Q: What is the recommended gate voltage for optimal performance?
A: A gate voltage of 10V is typically recommended for achieving low on-resistance.
Q: How do I calculate the power dissipation for the BSS126IXTSA1?
A: Power dissipation can be calculated as P = I² * RDS(on), where I is the current flowing through the device.
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Q: Pouvez-vous fournir des informations sur les pratiques d'assurance qualité de Chipmall.com ?
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