Infineon Technologies IRFB7446PBF
40V 123A 2.6m@10V,70A 99W 2.2V@100uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IRFB7446PBF |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Type | 1 N-channel |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 93nC@10V |
| Type | N-channel |
| Drain to Source Voltage | 40V |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Number | 1 N-Channel |
| Gate Charge(Qg) | 93nC@10V |
| RDS(on) | 3.3mΩ@10V |
| Current - Continuous Drain(Id) | 123A |
| Pd - Power Dissipation | 99W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.9V@100uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 331pF |
| Output Capacitance(Coss) | 475pF |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.183nF |
| Package | TO-220AB |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 50 |
| Weight | 2.862 |
Ultra-Low RDS(on) : The IRFB7446PBF boasts an ultra-low on-resistance of just 3.6 mΩ, reducing conduction losses.
High Voltage Rating : It is rated for a maximum drain-source voltage of 100V, making it suitable for high voltage applications.
Fast Switching Speed : This MOSFET ensures rapid switching performance, enhancing overall efficiency in circuits.
Thermal Performance : It exhibits superior thermal stability with a maximum junction temperature of 175°C.
Surface-Mount Package : The device comes in a TO-220 package, facilitating easy heat dissipation and assembly.
Power Conversion : Ideal for use in DC-DC converters and power supplies.
Motor Control : Suitable for driving applications such as brushed and brushless DC motors.
LED Drivers : Can be used in high-efficiency lighting applications for current regulation.
Telecom Equipment : Effective in power amplification and signal processing circuits.
Automotive Applications : Compatible with electric vehicle drive circuits and battery management systems.
Renewable Energy : Useful in solar inverters and energy storage systems.
Heat Dissipation : Ensure adequate thermal management using heatsinks or thermal pads to maintain optimal performance.
Gate Drive Voltage : The gate-source voltage should be managed to avoid excessive voltage that could lead to failure.
Switching Frequency : Assess switching frequency to prevent overheating and inefficiencies during operation.
Parasitic Inductance : Minimize induction from layout to reduce switching losses and improve reliability.
Load Conditions : Ensure load current stays within specified limits to avoid damage and ensure longevity.
Q: What is the maximum drain current for the IRFB7446PBF?
A: The maximum continuous drain current is 75A at 25°C, but it may vary based on thermal conditions.
Q: How do I choose the appropriate gate voltage?
A: A gate-source voltage of 10V is recommended for optimal RDS(on) performance.
Q: Can this MOSFET be used for high-frequency applications?
A: Yes, but it's essential to consider the switching losses and ensure proper layout to minimize parasitic elements.
Q: What happens if the MOSFET exceeds its maximum junction temperature?
A: Exceeding the maximum junction temperature can lead to device failure, reduced efficiency, and potential circuit damage.
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