Infineon Technologies IPS70R360P7S
700V 7.5A 0.36@10V,3.0A 59.5W [email protected] 1 N-Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IPS70R360P7S |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃ |
| Type | 1 N-channel |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.5A |
| Power Dissipation (Pd) | 59.5W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16.4nC@10V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 0.36Ω@10V,3.0A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | [email protected] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF@400V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 517pF@400V |
| Package | TO-251-3 |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 75 |
| Weight | 0.58 |
Low on-resistance : The IPS70R360P7S features a very low on-state resistance, optimizing power efficiency.
High switching speed : It provides fast switching capabilities, facilitating higher frequency operations.
Thermal stability : The transistor ensures excellent thermal performance, reducing risks of overheating.
Compact design : Its small outline allows for space-saving configurations in circuit designs.
High reliability : The device is built to meet strict reliability standards, ensuring long-term operation.
Electric vehicles : The IPS70R360P7S is utilized in the power management systems for electric vehicle drives.
Renewable energy systems : It is employed in inverter applications for solar energy conversion.
Industrial automation : This transistor is used in motor control circuits for automation systems.
Power supplies : The device plays a critical role in switch-mode power supplies and converters.
Consumer electronics : It is utilized in high-efficiency power circuits for various consumer devices.
Robotics : The IPS70R360P7S is used in drive circuits for robotic applications.
Heat dissipation : Adequate heat sinking is necessary to manage thermal output during high-load conditions.
Gate drive requirements : Ensure appropriate gate voltage levels are maintained for optimal switching performance.
Circuit layout : A well-designed PCB layout is crucial to minimize parasitic inductances and optimize performance.
Voltage ratings : Operating within specified maximum voltage ratings is essential to prevent damage.
Load conditions : Design considerations should include the expected load variations to ensure reliable operation.
Q: What happens if the temperature exceeds the maximum rated value?
A: Exceeding the maximum temperature can lead to thermal runaway and device failure.
Q: Can this transistor handle high-frequency applications?
A: Yes, the IPS70R360P7S is designed for high-speed switching, making it suitable for high-frequency use.
Q: Is external protection needed for the transistor?
A: It’s advisable to implement protection circuits against voltage spikes to ensure device safety.
Q: What is the effect of load on performance?
A: Load variations can affect efficiency and heat generation, so careful consideration is needed in design.
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