Infineon Technologies IPP026N10NF2SAKMA1
100V 2.6m@100A,10V 3.8V@169uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IPP026N10NF2SAKMA1 |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Type | 1 N-channel |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 154nC@10V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.8V@169uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.3nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 27A;184A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6mΩ@100A,10V |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;250W |
| Package | TO-220 |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 50 |
| Weight | 2.96 |
Low on-state resistance: Ensures minimal power loss and heat generation.
High-speed switching: Enables efficient operation in fast switching circuits.
Robust thermal performance: Capable of handling high current loads without overheating.
Compact package: Saves space in circuit design while maintaining performance.
Enhanced gate charge: Provides improved efficiency in drive circuitry.
Power supplies: Used for DC-DC converters and other power supply designs.
Motor control: Ideal for driving electric motors in various applications.
LED lighting: Enables efficient drive for high-brightness LED systems.
Automotive electronics: Utilized in various automotive applications, including powertrain and lighting.
Renewable energy systems: Suitable for inverters in solar and wind power applications.
Consumer electronics: Applied in devices requiring efficient power management.
Thermal management: Adequate heat dissipation methods should be implemented to prevent overheating.
Gate drive voltage: Ensure compatibility with the required gate voltage levels for optimal switching performance.
Parasitic inductance: Minimize loop inductance in PCB layout to enhance switching efficiency and reduce EMI.
Current rating: Consider the maximum load current and ensure the MOSFET operates within safe limits.
Switching frequency: Select appropriate driving circuits to match the desired switching frequency without introducing delays.
Q: What should I do if the MOSFET overheats?
A: Ensure proper thermal management, including heatsinks and airflow, and verify the load conditions are within specifications.
Q: How can I determine the appropriate gate drive voltage?
A: Refer to the datasheet for the specified gate threshold voltage and ensure that your driving signal maintains this level for reliable operation.
Q: Is this MOSFET suitable for high-frequency applications?
A: Yes, it is designed for high-speed switching, making it effective for high-frequency use cases.
Q: What is the maximum current rating for this device?
A: The maximum continuous current rating is specified in the datasheet and should not be exceeded to avoid damage.
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