Infineon Technologies IPB64N25S3-20
250V 64A 17.5m@10V,64A 300W 4V@270uA 1 N-Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS

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|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IPB64N25S3-20 |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Type | 1 N-channel |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 67nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 85pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 64A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@270uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 17.5mΩ@10V,64A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.24nF@25V |
| Package | TO-263-2 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 1000 |
| Weight | 2.484 |
RDS(on) : The low on-resistance (0.015 ohm) reduces conduction losses and improves efficiency.
VDS : It is rated for a maximum voltage of 250V, allowing for versatile usage in power circuits.
Qg : Offers low gate charge, facilitating fast switching speed and reduced drive losses.
Package : Available in a TO-220 package, ideal for effective thermal management.
Identification : Equipped with a fast recovery feature to support high-speed switching applications.
Power Supply Units : Utilized in switch-mode power supplies (SMPS) for efficient energy conversion.
Motor Drives : Fits well in electric motor drives, improving control and efficiency.
DC-DC Converters : Essential for step-down and step-up converters in battery management systems.
Renewable Energy : Applied in photovoltaic systems for optimizing solar energy conversion.
Electric Vehicles : Supports power management in electric drivetrain systems.
Lighting Controls : Used in LED drivers for efficient light regulation.
Thermal Management : Ensure adequate heat dissipation, as high current loads can lead to significant temperature rise.
Gate Drive Voltage : Use appropriate drive voltage to prevent excessive gate-source voltage which may damage the MOSFET.
Switching Frequency : Optimize the switching frequency to balance efficiency and performance in applications.
Circuit Protection : Implement necessary protection circuits to avoid voltage spikes during operation.
Layout Design : Prioritize PCB layout to minimize parasitic inductance and maximize switching efficiency.
Q: What should I do if the MOSFET is overheating?
A: Check for proper thermal management and ensure that the current specifications are not exceeded.
Q: How do I select the appropriate gate drive voltage?
A: Use the recommended gate-source voltage from the datasheet, typically around 10-20V for optimal performance.
Q: Can I use this MOSFET for high-frequency applications?
A: Yes, it is designed for high-speed switching, but ensure that the gate drive is optimized for the desired frequency.
Q: What happens if I exceed the maximum voltage rating?
A: Exceeding the voltage rating can lead to breakdown of the MOSFET, causing potential failure in your circuit.
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