Diodes Incorporated DMN2004WK-7
20V 540mA 200mW [email protected],350mA 1V@250uA 1 N-Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS

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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | DMN2004WK-7 |
| Fabricante | DIODES |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Type | 1 N-channel |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 20pF |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 0.7Ω@1.8V,350mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 150pF@16V |
| Continuous Drain Current (Id) | 540mA |
| Package | SOT-323-3 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 3000 |
| Weight | 0.03 |
Low on-resistance : Provides efficient conduction with minimal power loss.
High-speed switching : Ensures quick transition between on and off states for improved performance.
Low gate threshold voltage : Allows for efficient operation with lower drive voltage levels.
High thermal stability : Maintains performance in high-temperature environments.
Compact package size : Facilitates easy mounting in space-constrained applications.
Power management systems : Suitable for managing voltage and current in power supplies.
Motor control circuits : Efficiently drives motors in automotive and industrial applications.
LED drivers : Powers and controls LED lighting systems for optimal performance.
Battery management systems : Enhances battery efficiency and lifespan in charging applications.
DC-DC converters : Provides reliable switching in voltage conversion applications.
Power amplifiers : Used in RF amplifiers for enhanced signal processing capability.
Thermal management : Ensure adequate heat dissipation to prevent overheating during operation.
Gate drive requirements : Properly design gate drive circuits to achieve maximum switching performance.
Voltage ratings : Confirm that the MOSFET is rated adequately for the application's voltage levels.
Parasitic capacitance : Be aware of parasitic elements which can affect switching speeds in high-frequency applications.
Inductive loads : Consider flyback diodes when driving inductive loads to prevent voltage spikes.
Q: What happens if the DMN2004WK-7 is subjected to overvoltage?
A: Overvoltage can damage the MOSFET and lead to failure in applications.
Q: How do I determine the appropriate gate drive voltage?
A: Consult the datasheet for optimal gate drive voltage, typically around 10V for full enhancement.
Q: Can this MOSFET handle inductive loads?
A: Yes, but be sure to use protection measures like a flyback diode to prevent voltage spikes.
Q: What is the maximum temperature rating for this device?
A: The maximum junction temperature is typically rated at 150°C, but operational limits should follow application specifics.
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| garantie | Tous les achats Chipmall.com sont accompagnés d'une politique de retour satisfait ou remboursé de 30 jours, ainsi que d'une garantie Chipmall.com de 365 jours contre tout défaut de fabrication. Cette garantie ne s'applique pas à tout article dont les défauts ont été causés par un client inapproprié. assemblage, non-respect par le client des instructions, modification du produit, fonctionnement négligent ou inapproprié | |
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