Diodes Incorporated DMN62D0SFD-7
60V 540mA 430mW 2@10V,500mA 2.5V@1mA 1 N-Channel UDFN-31.2x1.2 MOSFETs ROHS

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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | DMN62D0SFD-7 |
| Fabricante | DIODES |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Power Dissipation (Pd) | 430mW |
| Type | 1 N-channel |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,500mA |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 870pC@10V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.8pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 540mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30.2pF@25V |
| Package | UDFN-3(1.2x1.2) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 3000 |
| Weight | 0.036 |
Low on-resistance : Provides minimal power loss during operation, improving efficiency.
High-speed switching capability : Suitable for fast switching applications, enhancing performance.
Wide gate voltage range : Accommodates diverse input voltage levels for flexibility.
Compact SO-8 package : Facilitates space-saving designs in electronic circuits.
Robust thermal performance : Maintains reliability under high-temperature conditions.
Power management : Ideal for use in DC-DC converters and power supplies.
Motor control : Suitable for driving motors in various applications.
Switching regulators : Effective in managing energy conversion and efficiency.
Automotive systems : Can be used in various automotive electronic controls.
LED drivers : Efficiently controls power delivery in LED lighting applications.
Industrial automation : Supports high-speed switching in control systems.
Thermal management : Ensure adequate heat dissipation to prevent overheating during operation.
Gate drive design : Use appropriate gate drive voltages to optimize switching performance and minimize losses.
Input voltage ratings : Verify that input voltages remain within specified limits to ensure device reliability.
Layout design : Follow recommended PCB layout guidelines to minimize parasitic inductance and capacitance.
Load characteristics : Consider load conditions to ensure the MOSFET operates within its safe limits.
Q: What is the typical on-resistance of the DMN62D0SFD-7?
A: The on-resistance is typically low, contributing to its efficiency in power applications.
Q: Can this MOSFET be used in high-temperature environments?
A: Yes, it is designed to perform reliably in high-temperature applications.
Q: What is the maximum gate-source voltage?
A: The maximum gate-source voltage is specified in the datasheet, so verify for safe operation.
Q: Is it suitable for use in automotive applications?
A: Yes, it is well-suited for various automotive electronic systems.
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