Diodes Incorporated DMN3051L-7
30V 5.8A 38m@10V,5.8A 700mW 2.2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | DMN3051L-7 |
| Fabricante | DIODES |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Power Dissipation (Pd) | 700mW |
| Type | 1 N-channel |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@10V,5.8A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 81pF@5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 424pF@5V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9nC |
| Package | SOT-23 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 3000 |
| Weight | 0.028 |
Low On-Resistance : The DMN3051L-7 has a maximum R_DS(on) of 18 mΩ, ensuring minimal power loss during operation.
Fast Switching Speed : This MOSFET supports high-frequency applications with quick turn-on and turn-off times, improving circuit efficiency.
Compact Package : Its SO-8 package provides a small footprint, ideal for designs with limited space.
High Continuous Drain Current : The device can handle a continuous drain current of up to 30 A, accommodating demanding applications.
Enhanced Thermal Performance : Designed for better heat dissipation, it operates effectively even under higher temperature conditions.
Battery Management Systems : Used for efficient power distribution and management in battery-operated devices.
Motor Control Circuits : Employed in circuits that control the speed and direction of motors.
Power Supply Circuits : Integrated into power converters and regulators for voltage conversion.
Load Switching : Suitable for applications involving the control of various loads.
DC-DC Converters : Utilized in step-down converters for efficient energy transfer.
LED Drivers : Acts as a switch in circuits designed to drive LED lighting systems.
Load Requirements : Ensure that the load current does not exceed the specified 30 A continuous drain rating for reliability.
Gate Drive Voltage : The gate-to-source voltage should be managed to ensure proper switching and avoid device damage.
Thermal Management : Adequate heat sinks or thermal pads may be necessary to manage heat dissipation during high-load conditions.
Switching Frequency : Select an appropriate frequency range to accommodate the fast switching capabilities of the DMN3051L-7.
PCB Layout : Careful layout design is essential to minimize parasitic inductance and maximize performance.
Q: What is the maximum gate-source voltage for the DMN3051L-7?
A: The maximum gate-source voltage is ±20 V.
Q: How can I ensure reliability at high temperatures?
A: Implement proper thermal management with heat sinks or adequate spacing on the PCB.
Q: Is the DMN3051L-7 suitable for high-frequency applications?
A: Yes, it is designed for fast switching, making it suitable for high-frequency use.
Q: Can this MOSFET be used in parallel configurations?
A: Yes, but ensure current sharing techniques are employed to prevent uneven loading.
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