Diodes Incorporated DMN2019UTS-13
20V 5.4A 0.78W 18.5m@10V,5.4A 950mV@250uA 2 N-Channel TSSOP-8 MOSFETs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | DMN2019UTS-13 |
| Fabricante | DIODES |
| catégorie de produit | MOSFETs |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Type | 2 N-Channel |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 0.78W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | [email protected] |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.4A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 29pF@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 143pF@10V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 18.5mΩ@10V,5.4A |
| Package | TSSOP-8 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 2500 |
| Weight | 0.203 |
Low on-resistance : Offers minimal power loss during operation, improving overall efficiency.
Fast switching speed : Facilitates high-frequency operation, beneficial for dynamic applications.
Wide operating temperature range : Ensures reliability under extreme conditions, supporting diverse applications.
Compact package : Allows for easy integration into limited spaces in circuit designs.
ESD protection : Provides enhanced reliability by safeguarding against electrostatic discharge events.
Power management : Utilized in DC-DC converters for efficient voltage regulation.
Motor control : Employed in driving circuits for brushless DC motors, enhancing control and efficiency.
Lighting systems : Used in LED drivers for effective power delivery and control.
Battery management : Essential in battery charging circuits to optimize performance and lifespan.
Telecommunications : Integrated into RF amplifiers for improved signal processing.
Consumer electronics : Found in power supplies and portable devices to enhance energy performance.
Thermal management : Adequate heat dissipation is vital, as the device may require heatsinking in high-drain applications.
Gate drive voltage : Ensure the gate voltage levels are within the MOSFET's specifications for optimal switching performance.
Switching frequency : Consider the impact of frequency on losses; higher frequencies can lead to increased heat.
Load conditions : Assess the maximum load current to prevent overheating and ensure device longevity.
PCB layout : Optimize traces for minimal inductance and resistance to enhance performance and reliability.
Q: What is the maximum current rating for the DMN2019UTS-13?
A: The maximum continuous drain current is typically rated at 30A based on the thermal limits.
Q: Is this MOSFET suitable for high-frequency applications?
A: Yes, the DMN2019UTS-13 is designed for fast switching, making it well-suited for high-frequency operations.
Q: Can this device handle high temperatures?
A: The device operates within a wide temperature range, up to 150°C, ensuring reliability in harsh environments.
Q: Does the DMN2019UTS-13 provide ESD protection?
A: Yes, it includes ESD protection, enhancing its robustness against static discharge events.
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