Infineon Technologies IKW25N120CS7XKSA1
250W 55A 1.2kV TO-247-3 Single IGBTs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IKW25N120CS7XKSA1 |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | IGBT Transistors / Modules |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
| Switching Energy(Eoff) | 1.1mJ |
| IGBT Type | - |
| Td(off) | 160ns |
| Pd - Power Dissipation | 250W |
| Turn-On Energy (Eon) | 1.2mJ |
| Reverse Recovery Time(trr) | 150ns |
| Td(on) | 21ns |
| Current - Collector(Ic) | 55A |
| Gate Charge(Qg) | 150nC |
| Package | TO-247-3 |
| Packaging | Tube-packed |
| Standard Package | 30 |
| Weight | 4.05 |
Low On-Resistance : The IKW25N120CS7XKSA1 features a low on-resistance of 0.25 ohms, which reduces power loss during operation.
High Voltage Rating : This MOSFET is rated for a maximum voltage of 1200V, enabling it to handle high-voltage applications effectively.
Fast Switching : The device demonstrates fast switching capabilities, which enhances efficiency in dynamic load scenarios.
Thermal Stability : With a high thermal performance rating, it maintains stability under elevated temperature conditions.
Gate Drive Voltage : The IKW25N120CS7XKSA1 requires a gate drive voltage of 10V, allowing for straightforward integration into existing designs.
Power Supply Units : Efficiently manage energy conversion in both AC-DC and DC-DC converters.
Motor Drives : Enable effective control and driving of electric motors in various configurations.
Renewable Energy Systems : Support the operation of solar inverters and wind turbine systems.
Industrial Automation : Facilitate precise control in automation systems and robotics applications.
Electric Vehicles : Enhance power management in traction and propulsion systems.
UPS Systems : Maintain reliable backup power in uninterruptible power supply configurations.
Thermal Management : Ensure proper heat dissipation using adequate heatsinking or thermal interface materials to maintain operational efficiency.
Gate Drive Design : The gate drive circuit must supply the required 10V with sufficient current for reliable switching.
PCB Layout : Consider gate loop inductance in the PCB layout to reduce switching losses and improve performance.
Voltage Ratings : Ensure that operating voltages stay within the maximum 1200V rating to avoid device breakdown.
Current Handling : Design the circuit to maintain safe operating currents within the device's specified limits to prevent overheating.
Q: What happens if I exceed the maximum gate drive voltage?
A: Exceeding the maximum gate drive voltage can lead to gate oxide breakdown and permanent damage to the MOSFET.
Q: Can this MOSFET be used in parallel with other MOSFETs?
A: Yes, but ensure that each MOSFET has matched characteristics to prevent uneven current sharing.
Q: What is the maximum operating temperature for the IKW25N120CS7XKSA1?
A: The maximum operating temperature typically reaches up to 150°C, but it is essential to monitor thermal performance.
Q: How do I calculate the power loss in this device?
A: Power loss can be calculated using the formula P = I² * R(on) during conduction plus switching losses during transitions.
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