Infineon Technologies IGD08N120S7ATMA1
106W 24A 1.2kV TO-252-3 Single IGBTs ROHS
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| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IGD08N120S7ATMA1 |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | IGBT Transistors / Modules |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃ |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Gate Charge(Qg) | 55nC@15V |
| Td(on) | 15ns |
| Current - Collector(Ic) | 24A |
| Td(off) | 149ns |
| Pd - Power Dissipation | 106W |
| Input Capacitance(Cies) | 1.3nF@25V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | [email protected] |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2V@8A,15V |
| Switching Energy(Eoff) | 410uJ |
| Turn-On Energy (Eon) | 460uJ |
| Package | TO-252-3 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 2500 |
| Weight | 1 |
High voltage capability: Rated at 1200V, suitable for demanding applications.
Low conduction losses: Enhances efficiency during current flow.
Fast switching: Reduces switching losses, improving overall performance.
Robust thermal characteristics: Allows for effective heat management.
Integrated gate protection: Safeguards against voltage spikes, ensuring reliability.
Power supply circuits: Used in renewable energy systems for efficient power conversion.
Motor control: Suitable for driving applications in industrial automation.
Inverters: Ideal for solar inverter applications, maximizing energy conversion.
HVAC systems: Enhances efficiency in heating, ventilation, and air conditioning controls.
Uninterruptible power supplies: Provides reliable power switching in backup systems.
Electric vehicle drives: Supports efficient power management in electric propulsion systems.
Temperature management: Ensure adequate heat sinking to maintain junction temperature within limits.
Gate drive design: Proper gate resistor values should be selected to optimize switching performance.
Parasitic inductance: Minimize loop inductance in the PCB layout to reduce EMI.
Voltage ratings: Take into account potential voltage transients to avoid device breakdown.
Application-specific testing: Validate device performance under actual operating conditions to ensure reliability.
Q: What should I do if the IGBT fails during operation?
A: Check the gate drive, thermal management system, and ensure that voltage ratings were not exceeded.
Q: How can I minimize switching losses?
A: Optimize gate resistor values and ensure a low-inductance layout to improve switching characteristics.
Q: Can I use this IGBT in a continuous operation mode?
A: Yes, but ensure thermal limits are maintained for continuous applications.
Q: What is the maximum gate-emitter voltage allowed?
A: The maximum gate-emitter voltage is typically ±20V; exceeding this can damage the IGBT.
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