Infineon Technologies IGB08N120S7ATMA1
87W 20A 1.2kV TO-263-3 Single IGBTs ROHS

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|---|---|
| Numéro de pièce du fabricant | IGB08N120S7ATMA1 |
| Fabricante | Infineon |
| catégorie de produit | IGBT Transistors / Modules |
| RoHS | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Operating Temperature | -40℃~+150℃ |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
| Current - Collector(Ic) | 20A |
| Pd - Power Dissipation | 87W |
| Td(on) | 14ns |
| Td(off) | 149ns |
| Input Capacitance(Cies) | 1.3nF@25V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | [email protected] |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2V@8A,15V |
| Switching Energy(Eoff) | 410uJ |
| Turn-On Energy (Eon) | 460uJ |
| Gate Charge(Qg) | 55nC@8A,15V |
| Package | TO-263-3 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Standard Package | 1000 |
| Weight | 2.01 |
Low on-state voltage drop: Minimizes power losses during operation.
High-speed switching: Enables faster switching times, enhancing efficiency.
Excellent thermal performance: Optimized for improved thermal management in applications.
High current rating: Supports higher power demands in various applications.
Robust construction: Designed to withstand harsh conditions and ensure reliability.
Motor drives: Ideal for controlling electric motors to improve efficiency.
Power inverters: Suitable for renewable energy systems, converting DC to AC power.
Welding equipment: Used in high-power applications where precise control is needed.
Power supplies: Effective for industrial power management solutions.
UPS systems: Critical in providing backup power for uninterrupted operations.
Traction drives: Applied in electric and hybrid vehicle propulsion systems.
Thermal management: Adequate heat sinking and cooling techniques are essential to prevent thermal degradation.
Gate drive requirements: Proper gate drive circuits should be designed to ensure optimal switching performance.
Switching loss analysis: Evaluate the impact of switching frequencies on overall system efficiency.
Short-circuit protection: Implement protective measures against potential short-circuit conditions.
Package limitations: Consider the physical dimensions and mounting requirements for space-constrained applications.
Q: What happens if the IGBT is overloaded?
A: Overloading can lead to thermal runaway and device failure due to excessive heat generation.
Q: Can this IGBT be used in high-frequency applications?
A: While it has excellent switching capabilities, for very high-frequency applications, alternative devices may be preferred.
Q: How do I ensure proper gate drive for the IGBT?
A: Use a dedicated gate driver IC designed to provide the appropriate voltage and current levels for fast switching.
Q: Is it susceptible to short circuits?
A: Yes, it requires protective circuitry to avoid damage from unintended short-circuit conditions.
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