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MJD122T4G Maison Semiconductors Discrete Semiconductors Transistors Darlington Transistors

ON Semiconductor MJD122T4G

Fabricant:

ON Semiconductor
No de pièce du fabricant:

MJD122T4G
Paquet:

TO-252-3 (DPAK)
RoHS:
Fiche technique:

MJD122T4G
Description:

Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
ECAD Model:

Spécifications techniques du produit
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Attribut de produit Valeur d'attribut Recherche similaire
Manufacturer ON Semiconductor
Product Category Darlington Transistors
RoHS
Maximum Collector Cut-Off Current 10 uA
Maximum DC Collector Current 8 A
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 20 W
Product Type Darlington Transistors
Package / Case TO-252-3 (DPAK)
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Length 6.73 mm
Width 6.22 mm
Height 2.38 mm
Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Series MJD122
Packaging Cut Tape or Reel
Brand ON Semiconductor
Configuration Single
Continuous Collector Current 8 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 100, 1000
Transistor Polarity NPN
Factory Pack Quantity 2500
Subcategory Transistors
Unit Weight 0.017637 oz
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/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/Darlington-Transistors_1162?proid=736462&N=
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