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                                NSS12100UW3TCG
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ON Semiconductor NSS12100UW3TCG

Fabricant:

ON Semiconductor

No de pièce du fabricant:

NSS12100UW3TCG

Paquet:

WDFN-3

RoHS:
Fiche technique:

NSS12100UW3TCG

Description:

Bipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

ECAD Model:
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Spécifications techniques du produit

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Manufacturer ON Semiconductor
Product Category Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Maximum DC Collector Current 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 1100 mW
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Package / Case WDFN-3
Collector- Base Voltage VCBO 12 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 12 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Length 2 mm
Width 2 mm
Height 0.75 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Gain Bandwidth Product FT 200 MHz
Series NSS12100UW
Packaging Cut Tape or Reel
Brand ON Semiconductor
Configuration Single
Transistor Polarity PNP
Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors
Unit Weight 0.000328 oz
Manufacturer,Transistor Type,Collector-Emitter Breakdown Voltage,Product Category,Shipping Restrictions,Pd - Power Dissipation,Product Type,Package / Case,Collector- Base Voltage VCBO,Collector- Emitter Voltage VCEO Max,Collector-Emitter Saturation Voltage,Emitter- Base Voltage VEBO,Minimum Operating Temperature,Gain Bandwidth Product fT,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Continuous Collector Current,DC Collector/Base Gain hfe Min,DC Current Gain hFE Max,Transistor Polarity,Technology,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
ON Semiconductor,,,Bipolar Transistors - BJT,,1100 mW,BJTs - Bipolar Transistors,WDFN-3,12 V,12 V,,5 V,- 55 C,200 MHz,,NSS12100UW,,,,,PNP,,Transistors,0.000328 oz,,
753461
1155
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/Bipolar-Transistors-BJT_1155?proid=753461&N=
$
1 0.51990
10 0.42520
30 0.37870
100 0.33230
500 0.30470
1000 0.29090
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