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                                FQD12N20LTM
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ON Semiconductor / Fairchild FQD12N20LTM

Fabricant:

ON Semiconductor / Fairchild

No de pièce du fabricant:

FQD12N20LTM

Paquet:

TO-252-3

RoHS:
Fiche technique:

FQD12N20LTM

Description:

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

ECAD Model:

Spécifications techniques du produit

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Attribut de produit Valeur d'attribut Recherche similaire
Manufacturer ON Semiconductor
Product Category MOSFET
RoHS
Type MOSFET
Forward Transconductance - Min 11.6 S
Rds On - Drain-Source Resistance 280 mOhms
Rise Time 190 ns
Fall Time 120 ns
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 2.5 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Length 6.73 mm
Width 6.22 mm
Height 2.39 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Series FQD12N20L
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases FQD12N20LTM_NL
Brand ON Semiconductor / Fairchild
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 9 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V
Typical Turn-Off Delay Time 60 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.009184 oz
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Manufacturer,Drain-source breakdown voltage,FET类型,工作温度(Tj),Type of installation,功率(Max),漏极电流Id(连续)(Max),search for,Package,On Resistance - Max,Drain current,连续漏极电流Id@25℃,FET configuration,Channel Type,High Side Voltage - Max (Bootstrap),Current - Peak Output (Source, Sink),Logic Voltage - VIL, VIH,Gate Type,Features,Driven Configuration,Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C,Continuous Drain Current (Id) @ 25°C,漏极电流Idss,品牌,原产国家,引线数量,不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),零件状态,是否无铅,存储温度,元件生命周期,漏源极电压(Vdss),Power Dissipation-Max (Ta=25°C),Package/Temperature,Pt,VCES,VCE(sat)(Typ.),IC(Max.)(A),导通电阻Rds On(Max),漏源电压(Vdss),输入电容(Ciss)(Max),栅极电荷(Qg)(Max),Operating Supply Voltage,Number of Drivers,Maximum DC Collector Current,Input Type,Collector-Emitter Breakdown Voltage,,Product Category,Shipping Restrictions,Type,Product,Forward Transconductance - Min,Rds On - Drain-Source Resistance,Rise Time,Fall Time,Pd - Power Dissipation,Compliance,Product Type,Number of Channels,Termination Style,Package / Case,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Transistor Polarity,Transistor Type,Vgs - Gate-Source Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Qg - Gate Charge,Technology,Id - Continuous Drain Current,Vds - Drain-Source Breakdown Voltage,Typical Turn-Off Delay Time,Typical Turn-On Delay Time,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
ON Semiconductor,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,MOSFET,,MOSFET,,11.6 S,280 mOhms,190 ns,120 ns,2.5 W,,MOSFET,1 Channel,,TO-252-3,- 55 C,,FQD12N20L,FQD12N20LTM_NL,N-Channel,1 N-Channel,20 V,,,Si,9 A,200 V,60 ns,15 ns,MOSFETs,0.009184 oz,,
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