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                                LND10N65
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LONTEN LND10N65

Fabricant:

LONTEN

No de pièce du fabricant:

LND10N65

Paquet:

TO-220F

RoHS:
Fiche technique:

LND10N65

Description:

MOSFET TO-220F RoHS

ECAD Model:
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Spécifications techniques du produit

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Manufacturer,Continuous Drain Current (Id) @ 25°C,Power Dissipation-Max (Ta=25°C),Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C,Driven Configuration,Features,Gate Type,Logic Voltage - VIL, VIH,Current - Peak Output (Source, Sink),High Side Voltage - Max (Bootstrap),Channel Type,FET configuration,Drain-source breakdown voltage,Drain current,On Resistance - Max,Package,search for,漏极电流Id(连续)(Max),功率(Max),Type of installation,工作温度(Tj),FET类型,输入电容(Ciss)(Max),导通电阻Rds On(Max),IC(Max.)(A),VCE(sat)(Typ.),VCES,Pt,Package/Temperature,漏源极电压(Vdss),引线数量,安装类型,Package/Enclosure,是否无铅,功率耗散,技术,特性,输出配置,Operating Supply Voltage,品牌,原始制造商,阈值电压Vgs(th),供电电压,包装,连续漏极电流Id@25℃,输入类型,额定功率,极性,漏源击穿电压BVDSS,印字代码,无卤,Number of Drivers,长x宽/尺寸,驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn),比率(输入:输出),DC正向电流(If),存储温度,封装/外壳,输出端数,Maximum DC Collector Current,输入电容Ciss,制造商标准提前期,Input Type,元件生命周期,上升/下降时间,反向传输电容Crss,输出类型,Collector-Emitter Breakdown Voltage,工作温度,栅极源极击穿电压,漏极电流Idss,系列,配置,脚间距,接口,原产国家,开关类型,,不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),FET功能,充电电量,Product Category,栅极电荷(Qg)(Max),输出电流,最小包装,Shipping Restrictions,漏源电压(Vdss),湿气敏感性等级(MSL),故障保护,正向压降VF Max,应用等级,零件状态,认证信息,导通电阻,Type,高度,负载电压,Product,引脚数,Forward Transconductance - Min,晶体管类型,应用,Rds On - Drain-Source Resistance,Rise Time,Fall Time,Pd - Power Dissipation,Compliance,Product Type,Number of Channels,Termination Style,Package / Case,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Transistor Polarity,Transistor Type,Vgs - Gate-Source Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Qg - Gate Charge,Technology,Id - Continuous Drain Current,Vds - Drain-Source Breakdown Voltage,Typical Turn-Off Delay Time,Typical Turn-On Delay Time,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
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