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                                MMIX1T550N055T2
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MMIX1T550N055T2

Fabricant:

No de pièce du fabricant:

MMIX1T550N055T2

Paquet:

SMPD-24

RoHS:
Fiche technique:

MMIX1T550N055T2

Description:

MOSFET SMPD MOSFETs Power Device

ECAD Model:
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Spécifications techniques du produit

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Attribut de produit Valeur d'attribut Recherche similaire
Manufacturer IXYS
Product Category MOSFET
RoHS
Type TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET
Forward Transconductance - Min 90 S
Rds On - Drain-Source Resistance 1.3 mOhms
Rise Time 40 ns
Fall Time 230 ns
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 830 W
Product Type MOSFET
Package / Case SMPD-24
Length 25.25 mm
Width 23.25 mm
Height 5.7 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C
Channel Mode Enhancement
Series MMIX1T550N055
Packaging Tube
Brand IXYS
Transistor Polarity N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 3.8 V
Qg - Gate Charge 595 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 550 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55 V
Typical Turn-Off Delay Time 90 ns
Typical Turn-On Delay Time 45 ns
Factory Pack Quantity 20
Subcategory MOSFETs
Tradename HiPerFET
Manufacturer,Drain-source breakdown voltage,FET类型,工作温度(Tj),Type of installation,功率(Max),漏极电流Id(连续)(Max),search for,Package,On Resistance - Max,Drain current,连续漏极电流Id@25℃,FET configuration,Channel Type,High Side Voltage - Max (Bootstrap),Current - Peak Output (Source, Sink),Logic Voltage - VIL, VIH,Gate Type,Features,Driven Configuration,Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C,Continuous Drain Current (Id) @ 25°C,漏极电流Idss,品牌,原产国家,引线数量,不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),零件状态,是否无铅,存储温度,元件生命周期,漏源极电压(Vdss),Power Dissipation-Max (Ta=25°C),Package/Temperature,Pt,VCES,VCE(sat)(Typ.),IC(Max.)(A),导通电阻Rds On(Max),漏源电压(Vdss),输入电容(Ciss)(Max),栅极电荷(Qg)(Max),Operating Supply Voltage,Number of Drivers,Maximum DC Collector Current,Input Type,Collector-Emitter Breakdown Voltage,,Product Category,Shipping Restrictions,Type,Product,Forward Transconductance - Min,Rds On - Drain-Source Resistance,Rise Time,Fall Time,Pd - Power Dissipation,Compliance,Product Type,Number of Channels,Termination Style,Package / Case,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Transistor Polarity,Transistor Type,Vgs - Gate-Source Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Qg - Gate Charge,Technology,Id - Continuous Drain Current,Vds - Drain-Source Breakdown Voltage,Typical Turn-Off Delay Time,Typical Turn-On Delay Time,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
IXYS,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,MOSFET,,TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET,,90 S,1.3 mOhms,40 ns,230 ns,830 W,,MOSFET,,,SMPD-24,- 55 C,,MMIX1T550N055,,N-Channel,,20 V,3.8 V,595 nC,Si,550 A,55 V,90 ns,45 ns,MOSFETs,,HiPerFET,
760886
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=760886&N=
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