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                                IXTQ30N50L2
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IXTQ30N50L2

Fabricant:

No de pièce du fabricant:

IXTQ30N50L2

Paquet:

TO-3P-3

RoHS:
Fiche technique:

IXTQ30N50L2

Description:

MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A

ECAD Model:
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Spécifications techniques du produit

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Attribut de produit Valeur d'attribut Recherche similaire
Manufacturer IXYS
Product Category MOSFET
RoHS
Type Linear L2 Power MOSFET
Forward Transconductance - Min 9 S
Rds On - Drain-Source Resistance 200 mOhms
Rise Time 117 ns
Fall Time 40 ns
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 400 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TO-3P-3
Length 15.8 mm
Width 4.9 mm
Height 20.3 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Series IXTQ30N50
Packaging Tube
Brand IXYS
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 4.5 V
Qg - Gate Charge 240 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 30 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Typical Turn-Off Delay Time 94 ns
Typical Turn-On Delay Time 35 ns
Factory Pack Quantity 30
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.194007 oz
Tradename Linear L2
Manufacturer,Drain-source breakdown voltage,FET类型,工作温度(Tj),Type of installation,功率(Max),漏极电流Id(连续)(Max),search for,Package,On Resistance - Max,Drain current,连续漏极电流Id@25℃,FET configuration,Channel Type,High Side Voltage - Max (Bootstrap),Current - Peak Output (Source, Sink),Logic Voltage - VIL, VIH,Gate Type,Features,Driven Configuration,Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C,Continuous Drain Current (Id) @ 25°C,漏极电流Idss,品牌,原产国家,引线数量,不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),零件状态,是否无铅,存储温度,元件生命周期,漏源极电压(Vdss),Power Dissipation-Max (Ta=25°C),Package/Temperature,Pt,VCES,VCE(sat)(Typ.),IC(Max.)(A),导通电阻Rds On(Max),漏源电压(Vdss),输入电容(Ciss)(Max),栅极电荷(Qg)(Max),Operating Supply Voltage,Number of Drivers,Maximum DC Collector Current,Input Type,Collector-Emitter Breakdown Voltage,,Product Category,Shipping Restrictions,Type,Product,Forward Transconductance - Min,Rds On - Drain-Source Resistance,Rise Time,Fall Time,Pd - Power Dissipation,Compliance,Product Type,Number of Channels,Termination Style,Package / Case,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Transistor Polarity,Transistor Type,Vgs - Gate-Source Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Qg - Gate Charge,Technology,Id - Continuous Drain Current,Vds - Drain-Source Breakdown Voltage,Typical Turn-Off Delay Time,Typical Turn-On Delay Time,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
IXYS,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,MOSFET,,Linear L2 Power MOSFET,,9 S,200 mOhms,117 ns,40 ns,400 W,,MOSFET,1 Channel,,TO-3P-3,- 55 C,,IXTQ30N50,,N-Channel,1 N-Channel,20 V,4.5 V,240 nC,Si,30 A,500 V,94 ns,35 ns,MOSFETs,0.194007 oz,Linear L2,
760894
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=760894&N=
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