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                                IXGX120N60B3
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IXGX120N60B3

Fabricant:

No de pièce du fabricant:

IXGX120N60B3

Paquet:

PLUS 247-3

RoHS:
Fiche technique:

IXGX120N60B3

Description:

IGBT Transistors 120Amps 600V

ECAD Model:
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Spécifications techniques du produit

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Manufacturer IXYS
Product Category IGBT Transistors
RoHS
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 780 W
Product Type IGBT Transistors
Package / Case PLUS 247-3
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Series IXGX120N60
Packaging Tube
Brand IXYS
Configuration Single
Continuous Collector Current At 25 C 280 A
Continuous Collector Current Ic Max 600 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 30
Subcategory IGBTs
Unit Weight 0.229281 oz
Maximum DC Collector Current,,Gate Threshold Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Manufacturer,Collector-Emitter Breakdown Voltage,Product Category,Operating Temperature Range,Pd - Power Dissipation,Product Type,Package / Case,Collector- Emitter Voltage VCEO Max,Collector-Emitter Saturation Voltage,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Continuous Collector Current,Continuous Collector Current at 25 C,Continuous Collector Current Ic Max,Gate-Emitter Leakage Current,Technology,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
,,,,IXYS,,IGBT Transistors,,780 W,IGBT Transistors,PLUS 247-3,600 V,1.5 V,- 55 C,,IXGX120N60,,,280 A,600 A,100 nA,Si,IGBTs,0.229281 oz,,
760891
1156
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Transistors_1156?proid=760891&N=
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