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                                IXGK64N60B3D1
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IXGK64N60B3D1

Fabricant:

No de pièce du fabricant:

IXGK64N60B3D1

Paquet:

TO-264-3

RoHS:
Fiche technique:

IXGK64N60B3D1

Description:

IGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode

ECAD Model:
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Spécifications techniques du produit

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Manufacturer IXYS
Product Category IGBT Modules
RoHS
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 460 W
Product Type IGBT Modules
Package / Case TO-264-3
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Length 20.29 mm
Width 5.31 mm
Height 26.59 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Series IXGK64N60
Packaging Tube
Brand IXYS
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Factory Pack Quantity 25
Subcategory IGBTs
Unit Weight 0.373904 oz
Tradename GenX3
Manufacturer,Product Category,Shipping Restrictions,Product,Operating Temperature Range,Pd - Power Dissipation,Product Type,Package / Case,Collector- Emitter Voltage VCEO Max,Collector-Emitter Saturation Voltage,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Continuous Collector Current at 25 C,Gate-Emitter Leakage Current,Technology,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
IXYS,IGBT Modules,,,,460 W,IGBT Modules,TO-264-3,600 V,600 V,- 55 C,,IXGK64N60,,,100 nA,,IGBTs,0.373904 oz,GenX3,
760895
1160
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Modules_1160?proid=760895&N=
$
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