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HXY MOSFET

Fabricant:

HXY MOSFET

No de pièce du fabricant:

IRFR024N

Paquet:

TO252-2L

RoHS:
Fiche technique:

IRFR024N

Description:

Package/Enclosure : TO252-2L

ECAD Model:
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Spécifications techniques du produit

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Packaging,Manufacturer,Package/Enclosure,安装类型,Package / Case,Drain Source Voltage (Vdss),是否无铅,零电压时的消耗电流,最大耗散功率,Continuous Drain Current (Id),Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id),漏源极电压(Vdss),技术,品牌,功率耗散,阴极电流,初始精度(误差),无卤,总电容C,原始制造商,Power Dissipation (Pd),额定功率,输出电压(最大值),栅源电压 Vgss,Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id),阈值电压Vgs(th),电流-连续漏极(Id)(25°C时),集射极击穿电压Vce(Max),连续漏极电流Id@25℃,Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds),Type,集电极与基极之间电压 VCBO,正向电压(Vf)(典型值),Input Capacitance (Ciss@Vds),包装,漏源击穿电压BVDSS,集电极-发射极击穿电压,印字代码,额定电流,DC正向电流(If),Total Gate Charge (Qg@Vgs),Operating Temperature,正向压降VF Min,跃迁频率,反向漏电流IR,输出类型,极性,反向击穿电压,集电极-发射极电压 VCEO,驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn),长x宽/尺寸,制造商标准提前期,参考源类型,输入电容Ciss,存储温度,封装/外壳,DC电流增益(hFE)(Min&Range),FET类型,输出电流,平均整流电流IF,反向传输电容Crss,不同Id时的Vgs(th)(最大值),反向耐压VR,供应商器件封装,漏极电流Idss,元件生命周期,配置,Ifsm - 正向浪涌峰值电流,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值),栅极源极击穿电压,输出电压(最小值/固定),集电极电流 Ic,导通电阻 Rds(on),脚间距,栅极电荷(Qg)(Max),系列,工作温度,应用等级,通道数,湿气敏感性等级(MSL),FET功能,最小包装,反向恢复时间(trr),不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),功率耗散(最大值),原产国家,漏极电流 Id(最大值),充电电量,漏源电压(Vdss),正向压降VF Max,认证信息,高度,发射极与基极之间电压 VEBO,零件状态,Vce饱和压降(Max),晶体管类型,引脚数,应用,
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